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最新消息| 半導體材料專題報告:拋光液墊,CMP工藝關鍵耗材-未來智庫 | 2024-04-16 |
| 文章来源：由「百度新聞」平台非商業用途取用"http://www.baidu.com/link?url=ff73Wh0dPI-FO3GcCjecttnWrVWpWxuKpMipJk8GMphqBlafHzP3RDifMixPWXJmfO17_UUo3E01lfuPFuCRrW8TTpHihmdz2GpQhYQqNCe" 如需報告請登錄【未來智庫】。n拋光液、拋光墊——CMP 主要耗材，半導體制造的剛性需求n化學機械拋光（CMP）技術是晶圓制造的必須流程之一，對高精度、高性能晶圓制造至關重要。晶圓制造主要包括 7 大流程，分別是擴散（Thermal Process）、光刻（Photo lithography）、刻蝕（Etch）、離子注入（Ion Implant）、薄膜生長（Dielectric Deposition）、化學機械拋光（CMP）、金屬化（Metalization）。化學機械拋 光（CMP）最早在 1980 年代被引入半導體制造中，用于減少晶片表面的不均勻性，幾乎所有生產特征尺寸小于 0.35 微米的半導體制造廠均采用了該工藝。CMP 可以平整晶片表面的不平坦區域，并可以以更高的精度進行后 續光刻。CMP 使芯片制造商能夠繼續縮小電路面積并擴展光刻工具的性能。n拋光液、拋光墊是 CMP 工藝中不可或缺的材料，有著較高的價值量。CMP 工藝集合了拋光液的化學（酸 性或堿性）效應以及微磨料的機械效應，將晶圓固定在可旋轉的載體中（單頭或多頭），并將拋光墊放置在一 個可旋轉的平臺上，兩者在一定壓力及拋光液的作用下相互運動，以實現晶圓表面的高度平坦化。CMP 拋光材 料總體占到晶圓制造所需各類材料成本的 7%，其中拋光液、拋光墊有著較高的價值量，分別占到拋光材料的 49%和 33%，其他拋光材料還包括拋光頭、研磨盤、檢測設備、清洗設備等。nCMP 工藝應用廣泛，為拋光材料提出多重需求。CMP 工藝在芯片制造、半導體分立器件加工、電子元器 件加工、藍寶石表面加工等領域有著廣泛應用。CMP 工藝有著多種應用對象，包括 Cu CMP、Cu 阻擋層 CMP、 鎢 CMP、氧化物 CMP、HKMG 氧化物 CMP、HKMG 電極 CMP、選擇性淺溝槽隔離技術（S-STI）CMP。n拋光液是均勻分散膠粒乳白色膠體，主要起到拋光、潤滑、冷卻的作用。根據酸堿性可以分為酸性拋光液 和堿性拋光液，根據應用場景可以分為金屬拋光液和非金屬拋光液。以堿性 SiO2 拋光液為例，其重要成分包含磨料（SiO2 膠粒）、堿、去離子水、表面活性劑、氧化劑、穩定劑等。SiO2 膠粒主要作用是進行機械摩擦并吸 附腐蝕產物，要求硬度適當，尺寸在 1-100nm。堿性溶液在拋光過程中主要起到腐蝕作用，因避免引入 Na+、 K 關鍵字標籤：無塵室耗材工廠 |
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